Российские ученые улучшили элементы памяти для гибкой электроники, облучив фторированный графен тяжелыми ионами
Благодаря облучению ионами ксенона, исследователи модифицировали фторированный графен: удалили фтор и создали проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. На ...